等离子电极构造、等离子源及利用它的等离子处理装置
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本发明涉及等离子处理装置,更具体来说,涉及可提高等离子密度的均匀性,并可适用于最近基板大型化的趋势的等离子电极构造及其电极制造方法、电极冷却方法。另外,涉及利用上述等离子电极构造的等离子源及等离子处理装置、以及其控制方法。本发明的等离子源,其特征在于,具有多个单位电极单元和一对电极板,所述一对电极板使所述单位电极单元根据被处理物的宽度组装,从而被配置在所述被处理物上。另外,其特征在于,所述单位电极单元包含:单位电极板、形成在所述单位电极板上的电极、和形成在所述单位电极板的一个侧面的间隙槽。

基本信息
专利标题 :
等离子电极构造、等离子源及利用它的等离子处理装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1777346A
申请号 :
CN200510125306.0
公开(公告)日 :
2006-05-24
申请日 :
2005-11-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
申寅澈张圣基金兑昱柳炅昊郑修然
申请人 :
K.C.科技股份有限公司
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
李香兰
优先权 :
CN200510125306.0
主分类号 :
H05H1/24
IPC分类号 :
H05H1/24  H05H1/00  H01L21/00  
法律状态
2018-09-14 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H05H 1/24
变更事项 : 专利权人
变更前 : K.C.科技股份有限公司
变更后 : KC股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国京畿道
变更后 : 韩国京畿道
2018-09-14 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H05H 1/24
登记生效日 : 20180824
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : KC股份有限公司
变更后权利人 : 凯斯科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
2010-05-26 :
授权
2006-07-19 :
实质审查的生效
2006-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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