降低导孔应力的结构及其制造方法
专利权的终止
摘要

本发明公开了一种降低导孔应力的结构及其制造方法,其利用呈现格状结构的应力阻障块将厚度方向的一个或多个导线或导孔框起,借此来隔绝与大块的高热膨胀系数的绝缘材料的直接接触,进而可将在温度负载下所产生的剪切应力阻隔或吸收掉。

基本信息
专利标题 :
降低导孔应力的结构及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1979839A
申请号 :
CN200510126154.6
公开(公告)日 :
2007-06-13
申请日 :
2005-11-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
许永昱范荣昌谭瑞敏廖锡卿林基正游善溥陈守龙郑智元
申请人 :
财团法人工业技术研究院
申请人地址 :
中国台湾新竹县
代理机构 :
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 :
梁挥
优先权 :
CN200510126154.6
主分类号 :
H01L23/522
IPC分类号 :
H01L23/522  H01L21/768  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2017-01-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101697775924
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2005101261546
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20090128
终止日期 : 20151130
2009-01-28 :
授权
2007-08-08 :
实质审查的生效
2007-06-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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