可降低导通电阻的功率半导体结构及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种可降低导通电阻(Ron)的功率半导体(DMOS)结构及其制造方法，其中主要是在多晶硅结构的蚀刻完成后，利用具倾斜植入角度及可选择适当植入深度的离子植入方式，将第一传导型态的不纯物直接植入受接面场效晶体管(JFET)影响的磊晶区域内，且该第一传导型态的不纯物将受到该多晶硅结构的阻挡，而不会直接植入通道区域。藉此，可有效地令该通道区域不受该不纯物增加量的影响，且在启始电压不会改变的条件下，可缩短该通道区域的长度，以降低该通道区域的电阻，并在增加该不纯物的量后，可再降低该磊晶区域顶部的电阻。
基本信息
专利标题 ：
可降低导通电阻的功率半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1964068A
申请号 ：
CN200510120247.8
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林仪宇
申请人 ：
敦南科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北县新店市
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
谢丽娜
优先权 ：
CN200510120247.8
主分类号 ：
H01L29/772
IPC分类号 ：
H01L29/772 H01L21/335
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-18 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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