半导体电阻元件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的目的在于提供可以改善饱和电压特性的半导体电阻元件及其制造方法。本发明的半导体电阻元件和GaAs FET形成在同一基板上，所述的有源元件具有沟道层、在沟道层上形成的由不掺杂的InGaP构成的肖特基层、以及在肖特基层上形成的接触层，该半导体电阻元件具有活性区域以及在所述接触层上形成的2个欧姆电极，所述的活性区域具有由与GaAs FET分离的接触层的一部分构成的接触层、与GaAsFET分离的肖特基层以及沟道层的一部分，在所述2个欧姆电极之间露出有与GaAs FET分离的肖特基层。
基本信息
专利标题 ：
半导体电阻元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1755932A
申请号 ：
CN200510106458.6
公开（公告）日 ：
2006-04-05
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
加藤由明按田义治田村彰良
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈建全
优先权 ：
CN200510106458.6
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L21/822
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2008-05-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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