一种等离子体激励方法
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摘要
本发明涉及半导体刻蚀技术，本发明提出一种等离子体激励方法，对等离子体进行激励时，上下电极分别输入不同的电信号，对等离子体进行激励。本发明的优点和积极效果在于，它可以减小方位角的不对称，改善等离子体的均匀性，从而使晶片表面发生的化学反应速度差异较小，刻蚀速率均匀，减小等离子体损伤，从而提高刻蚀晶片的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种等离子体激励方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1852630A
申请号 ：
CN200510126395.0
公开（公告）日 ：
2006-10-25
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋巧丽
申请人 ：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 ：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡世英
优先权 ：
CN200510126395.0
主分类号 ：
H05H1/46
IPC分类号 ：
H05H1/46 H01L21/00
法律状态
2018-08-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H05H 1/46
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市经济技术开发区文昌大道8号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市经济技术开发区文昌大道8号
2008-02-06 ：
授权
2006-12-20 ：
实质审查的生效
2006-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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