横波激励等离子体阵列发生器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种横波激励等离子体阵列发生器，包括：等离子阵列控制器以及被控型面，其中，所述等离子阵列控制器具体包括：多个等离子体发生器，所述等离子阵列控制器安装于所述被控型面；所述等离子阵列控制器具体用于：在高频电的激励下，控制所述等离子体发生器产生高频射流，获得空间分布的高频横波，产生控制附面层第二模态的高频激励，促使所述被控型面附面层发生转捩。本发明提高了等离子体流动控制的频域边界。
基本信息
专利标题 ：
横波激励等离子体阵列发生器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114364115A
申请号 ：
CN202210050908.8
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏巍郭丰领杨辉
申请人 ：
中国航天空气动力技术研究院
申请人地址 ：
北京市丰台区云岗西路17号
代理机构 ：
北京八月瓜知识产权代理有限公司
代理人 ：
秦莹
优先权 ：
CN202210050908.8
主分类号 ：
H05H1/24
IPC分类号 ：
H05H1/24 H05H1/46
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05H 1/24
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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