一种表面纳米锥阵列及其制作方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及表面纳米锥及其制作方法，该表面纳米锥阵列是采用等离子体刻蚀技术，在衬底上制备出纳米锥阵列，其纳米锥具有长径比在50－8000之间，尖部曲率半径低于5纳米，底部直径为200纳米到2000纳米，锥角为16°－72°，密度为109cm－2－105cm－2。其制备方法为在加偏压的化学气相沉积设备中，经过清洗衬底处理，置于CVD设备中，抽真空至10－2Torr；采用等离子体预刻蚀处理，再关掉偏压和灯丝电流，重新抽真空至10－2Torr；再进行等离子体刻蚀形成表面纳米锥阵列。该表面纳米锥阵列具有可控的长径比、可控的密度、小的尖部曲率半径，以及适用材料范围广。
基本信息
专利标题 ：
一种表面纳米锥阵列及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1978310A
申请号 ：
CN200510126427.7
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
顾长志王强李俊杰王宗利
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 ：
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 ：
高存秀
优先权 ：
CN200510126427.7
主分类号 ：
B82B1/00
IPC分类号 ：
B82B1/00 B82B3/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B82
超微技术
B82B
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理
B82B1/00
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构
法律状态
2017-02-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101700609655
IPC(主分类) : B82B 1/00
专利号 : ZL2005101264277
申请日 : 20051209
授权公告日 : 20100303
终止日期 : 20151209
号牌文件序号 : 101700609655
IPC(主分类) : B82B 1/00
专利号 : ZL2005101264277
申请日 : 20051209
授权公告日 : 20100303
终止日期 : 20151209
2010-03-03 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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