半导体纳米结构及其制作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种半导体纳米结构，包括：一衬底作为半导体器件的承载体；一半导体缓冲层，通过外延生长技术形成在衬底上，起到缓冲衬底和其他层之间应力的作用；一半导体模板层，通过外延生长技术形成在半导体缓冲层上，作为支撑模板；一钝化层，通过表面钝化形成在半导体模板层上，起到提高吸附原子在表面迁移势垒的作用；一半导体诱导层，制作在钝化层上，起到促进半导体纳米岛形成的作用；一半导体纳米岛层，制作在半导体诱导层上，作为光电子器件的活性层；一半导体盖帽层，制作在半导体纳米岛层上，起到保护半导体纳米岛层，或者提供载流子的作用。
基本信息
专利标题 ：
半导体纳米结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101026203A
申请号 ：
CN200610003180.4
公开（公告）日 ：
2007-08-29
申请日 ：
2006-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈振
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610003180.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L31/08 H01L31/18
法律状态
2009-02-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2007-08-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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