本发明涉及一种半导体结构及其制作方法。所述半导体结构的制作方法包括：提供衬底，所述衬底上包括依次形成的多晶硅层、第一导电层、第一介质层、掩膜层和牺牲层；其中，所述牺牲层具有多个间隔分布的第一沟槽；于所述牺牲层上形成第一绝缘层；形成保护层，所述保护层仅覆盖位于所述牺牲层顶面上方的所述第一绝缘层的表面；去除位于所述第一沟槽底部的所述第一绝缘层；去除所述保护层、部分所述第一绝缘层、所述牺牲层和部分所述掩膜层，形成第一图案层；以所述第一图案层为掩膜去除部分所述第一介质层、部分所述第一导电层、部分所述多晶硅层，以形成位线结构。本发明能够得到侧壁平坦且形貌竖直的位线结构。