光子晶体和织构化薄膜转印提高LED出光效率的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提出一种织构化薄膜转印提高半导体发光二极管出光效率的方法，具体包括以下步骤：研制出传统的半导体发光二极管；将半导体发光二极管管芯倒装焊；制作微纳米图形转印和织构化薄膜：用设计好的光刻版图制作微纳米图形的模板；选用和配制适当比例的一种预聚物，利用微纳米压印技术将模板上的微结构图形压印到预聚物胶体上；使预聚物胶体膜固化；小心地将形成微结构图形的聚合物薄膜从模板上剥离下来即成织构化介质膜。转贴织构化薄膜：将透明的PMMA胶涂在发光二极管衬底上；将织构化薄膜带图形的一面向上直接压贴在管芯上；将剥离下来的织构化薄膜带图形的一面向上直接压贴在管芯上；适当加温使透明的粘合胶固化。
基本信息
专利标题 ：
光子晶体和织构化薄膜转印提高LED出光效率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1983649A
申请号 ：
CN200510126470.3
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
章蓓包魁罗春雄陈志忠季航陈勇
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
100871北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京君尚知识产权代理事务所
代理人 ：
俞达成
优先权 ：
CN200510126470.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L21/50 H01L21/56
法律状态
2008-12-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
