一种高填充因子的织构化发光二极管结构包括：第一织构化覆层和接触层(2)，包括掺杂III－V或II－VI族化合物半导体或这种半导体的合金，其通过横向外延过生长(ELOG)沉积到图案化衬底(1)上；织构化未掺杂或掺杂的有源层(3)，包括III－V或II－VI族半导体或这种半导体的合金，以及其中发生电子和空穴的辐射复合或发生子能带间的跃迁；以及第二织构化覆层和接触层(4)，包括掺杂III－V或II－VI族半导体或这种半导体的合金。