高光摘出效率的发光元件

发明专利申请公布后的驳回

摘要

一种具有高光摘出效率的发光元件，包括一基板、形成于该基板上的一第一半导体层、形成于该第一半导体层上的一发光层、形成于该发光层上的一第二半导体层、形成于该第二半导体层上的一氧化物透明导电层，其中，该氧化物透明导电层相对于该第二半导体层的表面处具有多孔穴结构、形成于该氧化物透明导电层上的一金属反射层，以及形成于该金属反射层上的一电极。该金属反射层与该氧化物透明导电层之间的附着力通过氧化物透明导电层的孔穴结构获得极佳的改善，如此即可克服传统金属反射层与发光二极管的结产生剥离的问题。

基本信息

专利标题：

高光摘出效率的发光元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1971951A

申请号：

CN200510126748.7

公开（公告）日：

2007-05-30

申请日：

2005-11-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

徐子杰陶青山刘美君吴美兰欧震谢明勋

申请人：

晶元光电股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510126748.7

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00