具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及半导体材料测试技术领域，特别是一种具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法。样品台装置，包括：样品1、样品台2、聚四氟乙烯片D、永久磁铁C、防护罩A和无氧紫铜块B。测量方法包括：在半导体材料深能级测量过程中，通过调节无氧紫铜块B厚度，使永久磁铁C和其上的聚四氟乙烯薄片D与样品台2之间的空隙尽可能在0.2－0.3mm之间。本发明用于II－VI族铁基稀磁半导体中与铁离子和其它杂质有关的深能级测量。
基本信息
专利标题 ：
具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1996005A
申请号 ：
CN200510130771.3
公开（公告）日 ：
2007-07-11
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卢励吾张砚华葛惟昆
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
段成云
优先权 ：
CN200510130771.3
主分类号 ：
G01N27/82
IPC分类号 ：
G01N27/82 G01N27/72
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/626
应用加热电离气体
G01N27/72
通过测试磁变量
G01N27/82
用于测试缺陷的存在
法律状态
2012-03-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101201518730
IPC(主分类) : G01N 27/82
专利号 : ZL2005101307713
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20101228
号牌文件序号 : 101201518730
IPC(主分类) : G01N 27/82
专利号 : ZL2005101307713
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20101228
2010-05-12 ：
授权
2007-09-05 ：
实质审查的生效
2007-07-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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