一种用于深能级瞬态谱测试的低温装置
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本申请公开了一种用于深能级瞬态谱测试的低温装置,包括真空外壳、用于提供仪器仪表接口及阀门的仪表裙、制冷机,所述真空外壳、用于提供仪器仪表接口及阀门的仪表裙、制冷机自上而下依次连接。所述真空外壳内设有冷屏,固定于制冷机一级冷头上,所述二级冷头上设有高温台,探针样品托安装在高温台之上。本申请采用二级10K或者4K制冷机作为冷源,提供一个温度范围4K‑500K或者10‑500K且温度波动小于±50mk的低温环境和便于扎针的探针样品,方便深能级瞬态谱测试,有效提高了深能级瞬态谱测试的效率。
基本信息
专利标题 :
一种用于深能级瞬态谱测试的低温装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921688832.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-10
授权号 :
CN210835142U
授权日 :
2020-06-23
发明人 :
冯长沙黄社松王凡杨威
申请人 :
北京飞斯科科技有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区安宁北路昌平路临831-内1一层1027号
代理机构 :
北京智绘未来专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
赵卿
优先权 :
CN201921688832.1
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26 G01R1/02 G01N27/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-07-16 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : G01R 31/26
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京飞斯科科技有限公司
变更后 : 北京飞斯科科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100085 北京市海淀区安宁北路昌平路临831-内1一层1027号
变更后 : 100085 北京市海淀区安宁庄后街南1号A区1层1027号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京飞斯科科技有限公司
变更后 : 北京飞斯科科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100085 北京市海淀区安宁北路昌平路临831-内1一层1027号
变更后 : 100085 北京市海淀区安宁庄后街南1号A区1层1027号
2020-06-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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