一种用于深能级瞬态谱测试的低温装置

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本申请公开了一种用于深能级瞬态谱测试的低温装置，包括真空外壳、用于提供仪器仪表接口及阀门的仪表裙、制冷机，所述真空外壳、用于提供仪器仪表接口及阀门的仪表裙、制冷机自上而下依次连接。所述真空外壳内设有冷屏，固定于制冷机一级冷头上，所述二级冷头上设有高温台，探针样品托安装在高温台之上。本申请采用二级10K或者4K制冷机作为冷源，提供一个温度范围4K‑500K或者10‑500K且温度波动小于±50mk的低温环境和便于扎针的探针样品，方便深能级瞬态谱测试，有效提高了深能级瞬态谱测试的效率。

基本信息

专利标题：

一种用于深能级瞬态谱测试的低温装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921688832.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-10-10

授权号：

CN210835142U

授权日：

2020-06-23

发明人：

冯长沙黄社松王凡杨威

申请人：

北京飞斯科科技有限公司

申请人地址：

北京市海淀区安宁北路昌平路临831-内1一层1027号

代理机构：

北京智绘未来专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

赵卿

优先权：

CN201921688832.1

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26 G01R1/02 G01N27/00

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01R

测量电变量；测量磁变量

G01R31/26

•单个半导体器件的测试

法律状态

2021-07-16 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : G01R 31/26
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京飞斯科科技有限公司
变更后 : 北京飞斯科科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100085 北京市海淀区安宁北路昌平路临831-内1一层1027号
变更后 : 100085 北京市海淀区安宁庄后街南1号A区1层1027号

2020-06-23 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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