用于在半导体装置中制造金属线的方法
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摘要
提供了一种用于在半导体装置中制造金属线的方法。所述方法包括：在基片上形成层间绝缘层；通过蚀刻所述层间绝缘层形成接触孔；在所述层间绝缘层和所述接触孔上形成金属层；通过执行第一蚀刻处理而蚀刻所述金属层的部分；以及通过执行第二蚀刻处理而蚀刻所述金属层的剩余部分，直到所述层间绝缘层的表面被暴露并且所述金属线的底部部分被倾斜。
基本信息
专利标题 ：
用于在半导体装置中制造金属线的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1877809A
申请号 ：
CN200510135157.6
公开（公告）日 ：
2006-12-13
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
南基元
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200510135157.6
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2008-06-25 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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