用于制造具有金属线的半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
提供了一种用于制造具有金属线的半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层中形成开口；在所述开口和所述层间绝缘层上形成阻挡金属层；在所述阻挡金属层上形成第一导电层，直到填充了所述开口；对所述第一导电层执行伴随过蚀刻的第一蚀刻工艺以形成填充到所述开口中的互连层；对在第一蚀刻工艺之后暴露的阻挡金属层的部分执行第二蚀刻工艺以使所述开口的顶部侧向部分的垂直轮廓倾斜；在具有倾斜轮廓的所述层间绝缘层、互连层和阻挡金属层上形成第二导电层；以及选择性地蚀刻所述第二导电层以形成金属线。
基本信息
专利标题 ：
用于制造具有金属线的半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855423A
申请号 ：
CN200510097536.0
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李海朾曹祥薰金锡基
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200510097536.0
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2015-02-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599919553
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005100975360
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20080827
终止日期 : 20131230
号牌文件序号 : 101599919553
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005100975360
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20080827
终止日期 : 20131230
2008-08-27 ：
授权
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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