用于半导体器件的金属线及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供了一种金属线及其制造方法，该金属线可通过使用CVD TiSiN形成用于铜线的防扩散层的阻挡金属而用于尺寸小于65nm的半导体器件结构。所述金属线包括：半导体基片，在其上形成有半导体器件；绝缘层，在对应于所述半导体器件的部分具有接触孔并且在所述半导体基片上形成；TiSiN阻挡金属层，在所述接触孔中形成；以及铜线，在所述TiSiN阻挡金属层上形成。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体器件的金属线及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1925150A
申请号 ：
CN200510097527.1
公开（公告）日 ：
2007-03-07
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱星中李汉春
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510097527.1
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2009-01-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-02 ：
实质审查的生效
2007-03-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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