本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，首先在基板上形成一图案化介电层，然后在基板上形成一金属层，并覆盖图案化介电层。接着对金属层进行一平坦化步骤，直到暴露出图案化介电层的表面，其中保留下来的金属层即是栅极。之后，在图案化介电层与栅极上形成栅绝缘层，并且在栅极上方的栅绝缘层上形成半导体层。最后，在半导体层上形成源极以及漏极。本发明因采用镶嵌工序替代现有技术中光刻与刻蚀的工序，增加金属层的材质选择性。此外，在薄膜晶体管的制造过程中使用镶嵌工序，便能采用电阻值较低的金属，因而提高了薄膜晶体管以及应用此薄膜晶体管的液晶显示器的效能。