使用等离子体CVD制备碳膜的装置和方法以及碳膜
授权
摘要
本发明提供了一种用于均一制备碳膜的方法，该方法成本低且功率消耗低。该用于制备碳膜的方法包括如下步骤：将其局部上具有开口的圆柱形构件安置在真空室内的步骤；将基底安置在圆柱形构件内的步骤；将用于碳膜制备的气体引入所述真空室内的步骤；以及将用于等离子体产生的电压施加于所述圆柱形构件，由此在所述圆柱形构件内产生等离子体并通过该等离子体在所示基底表面上制备碳膜的步骤。
基本信息
专利标题 ：
使用等离子体CVD制备碳膜的装置和方法以及碳膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1906127A
申请号 ：
CN200580000352.6
公开（公告）日 ：
2007-01-31
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
羽场方纪
申请人 ：
日本大业照明株式会社
申请人地址 ：
日本国大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
陈长会
优先权 ：
CN200580000352.6
主分类号 ：
C01B31/02
IPC分类号 ：
C01B31/02 H01J63/06 C23C16/26
法律状态
2012-01-11 ：
授权
2010-11-03 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101036788048
IPC(主分类) : C01B 31/02
专利申请号 : 2005800003526
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 日本大业照明株式会社
变更后权利人 : 日本普瑞伦有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本国大阪府
变更后权利人 : 日本福岛县
变更事项 : 共同申请人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 毫微米电工株式会社
登记生效日 : 20100916
号牌文件序号 : 101036788048
IPC(主分类) : C01B 31/02
专利申请号 : 2005800003526
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 日本大业照明株式会社
变更后权利人 : 日本普瑞伦有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本国大阪府
变更后权利人 : 日本福岛县
变更事项 : 共同申请人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 毫微米电工株式会社
登记生效日 : 20100916
2010-11-03 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101036788049
IPC(主分类) : C01B 31/02
专利申请号 : 2005800003526
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 日本普瑞伦有限责任公司
变更后权利人 : 日本普瑞伦有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本福岛县
变更后权利人 : 日本福岛县
变更事项 : 共同申请人
变更前权利人 : 毫微米电工株式会社
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20100916
号牌文件序号 : 101036788049
IPC(主分类) : C01B 31/02
专利申请号 : 2005800003526
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 日本普瑞伦有限责任公司
变更后权利人 : 日本普瑞伦有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本福岛县
变更后权利人 : 日本福岛县
变更事项 : 共同申请人
变更前权利人 : 毫微米电工株式会社
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20100916
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2007-01-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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