对镶嵌结构进行平面化
专利权的终止
摘要
公开了一种制造镶嵌结构的方法，包括：在衬底(10)上形成牺牲层(20)，以保护用于镶嵌结构的凹槽(30)附近的区域；在凹槽中形成阻挡层(40)，并且与牺牲层电接触；在凹槽中形成镶嵌结构(50)；以及进行平面化。在平面化期间，牺牲层与阻挡层或与镶嵌结构电化学反应。这可以改变镶嵌结构和牺牲层去除的相对速率，从而减少镶嵌结构的凹陷或突出、减少铜残留物、以及减少阻挡材料侵蚀。可以通过ALCVD形成阻挡层。阻挡材料是WCN和TaN中的一个或更多个。牺牲层可以是TaN、TiN或W。
基本信息
专利标题 ：
对镶嵌结构进行平面化
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101053074A
申请号 ：
CN200580037427.8
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2005-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
菲特·恩古耶恩霍安格雷亚·J·A·M·费尔海登
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
陈瑞丰
优先权 ：
CN200580037427.8
主分类号 ：
H01L21/321
IPC分类号 ：
H01L21/321 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
H01L21/321
后处理
法律状态
2014-12-24 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101592566531
IPC(主分类) : H01L 21/321
专利号 : ZL2005800374278
申请日 : 20051102
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20131102
号牌文件序号 : 101592566531
IPC(主分类) : H01L 21/321
专利号 : ZL2005800374278
申请日 : 20051102
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20131102
2009-07-29 ：
授权
2008-05-07 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080411
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080411
2008-01-02 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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