低凹陷铜化学机械平面化
公开
摘要
公开了铜化学机械平面化(CMP)抛光制剂、方法和系统。该CMP抛光制剂包含特定形态和平均粒度(≤100nm、≤50nm、≤40nm、≤30nm或≤20nm)的磨料颗粒、至少两种或更多种氨基酸、氧化剂、腐蚀抑制剂和水。
基本信息
专利标题 ：
低凹陷铜化学机械平面化
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114466909A
申请号 ：
CN202080068723.9
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
K-Y·李蔡明莳史晓波R-J·杨C·Y·黄L·M·马兹
申请人 ：
弗萨姆材料美国有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
吴亦华
优先权 ：
CN202080068723.9
主分类号 ：
C09G1/02
IPC分类号 ：
C09G1/02 H01L21/321
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09G
抛光组合物；滑雪屐蜡
C09G1/00
抛光组合物
C09G1/02
含有磨料或研磨剂
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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