化学/机械平面化端点检测的原位监测法和设备
专利权的视为放弃
摘要
本发明提供一种在制造半导体或光器件过程中用于化学/机械平面化端点检测的原位监测技术和设备。本发明的检测是以容性测量导电衬底上电介质层厚度来实现的。本测量涉及电介质层、平的电极结构物和将制品与电极结构物界接的液体。电极结构物包括一测量电极、一包围测该电极的绝缘体、一保护电极和包围它的另一绝缘体。测量时给测量电极和包围保护电极的自举配置中施加驱动电压，从而在无分流漏电阻的干扰作用下测量电介质电容。该方法和设备用于平面化抛光期间和其它过程中现场测量导电衬底上电介质的厚度。
基本信息
专利标题 ：
化学/机械平面化端点检测的原位监测法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1119339A
申请号 ：
CN94108172.9
公开（公告）日 ：
1996-03-27
申请日 ：
1991-04-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
加布里埃尔·L·米勒艾力克·R·瓦格纳
申请人 ：
美国电话及电报公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
萧掬昌
优先权 ：
CN94108172.9
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2001-01-17 ：
专利权的视为放弃
1996-03-27 ：
公开
1996-03-06 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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