过渡金属的还原方法、使用该方法的含硅聚合物的表面处理方法...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的目的是,提供一种使用廉价的材料对含硅聚合物表面进行金属化处理的表面处理方法。另外,还提供一种对由任意材料构成的基体表面进行金属化或形成配线等金属层的图案,或者制造特定的过渡金属微粒子的方法。本发明的含硅聚合物的表面处理方法和过渡金属微粒子的制造方法的特征是,使特定的过渡金属盐的固体、溶液或悬浮液与有机硅化合物接触,将该过渡金属还原并析出,在该有机硅化合物上或有机硅化合物中析出过渡金属的微粒子或者在有机硅化合物表面上析出该微粒子。
基本信息
专利标题 :
过渡金属的还原方法、使用该方法的含硅聚合物的表面处理方法、过渡金属微粒子的制造方法、物品及电路板的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101061260A
申请号 :
CN200580039516.6
公开(公告)日 :
2007-10-24
申请日 :
2005-11-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
高桥昌己岩田健二渡边洋后藤谦一镰田润
申请人 :
三井化学株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 :
葛松生
优先权 :
CN200580039516.6
主分类号 :
C23C18/31
IPC分类号 :
C23C18/31 C23C18/20 B22F9/18
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18/00
通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆;接触镀
C23C18/16
还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18/31
用金属镀覆
法律状态
2010-08-25 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101006992216
IPC(主分类) : C23C 18/31
专利申请号 : 2005800395166
公开日 : 20071024
号牌文件序号 : 101006992216
IPC(主分类) : C23C 18/31
专利申请号 : 2005800395166
公开日 : 20071024
2007-12-19 :
实质审查的生效
2007-10-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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