呈基质材料形式的吩噻嗪－S－氧化物和吩噻嗪－S,S－二氧...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及呈基质材料形式的吩噻嗪－S－氧化物和吩噻嗪－S，S－二氧化物在有机发光二极管中的用途，尤其是呈基质材料形式的吩噻嗪－S－氧化物和吩噻嗪－S，S－二氧化物在有机发光二极管的发光层中的用途。还公开了包含含有至少一种呈基质材料形式的吩噻嗪－S－氧化物或吩噻嗪－S，S－二氧化物和至少一种呈发光体形式分布于其中的其它物质的有机层的有机发光二极管，由一种或多种呈基质材料形式的吩噻嗪－S－氧化物或吩噻嗪－S，S－二氧化物和至少一种呈发光体形式分布于其中的其它物质组成的发光层，包含相应发光层的有机发光二极管，以及具有相应有机发光二极管的器件。
基本信息
专利标题 ：
呈基质材料形式的吩噻嗪－S－氧化物和吩噻嗪－S,S－二氧化物在有机发光二极管中的用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101065857A
申请号 ：
CN200580040544.X
公开（公告）日 ：
2007-10-31
申请日 ：
2005-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
T·格斯纳W·科瓦尔斯基C·席尔德克内希特
申请人 ：
巴斯福股份公司
申请人地址 ：
德国路德维希港
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
刘金辉
优先权 ：
CN200580040544.X
主分类号 ：
H01L51/30
IPC分类号 ：
H01L51/30
法律状态
2010-08-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003943550
IPC(主分类) : H01L 51/30
专利申请号 : 200580040544X
公开日 : 20071031
号牌文件序号 : 101003943550
IPC(主分类) : H01L 51/30
专利申请号 : 200580040544X
公开日 : 20071031
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2007-10-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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