离子布植机的电子束缚内磁铁
授权
摘要

本发明揭露一种借由束缚一离子布植机的一磁铁的一磁性区域内的电子,以降低电子损耗且因此改良一低能量射束的输送效率,从而改良邻近该离子布植机的该磁铁的空间电荷中和的方法以及装置。提供一用于一离子布植机的一磁铁的磁极部件,前述磁极部件包括一外表面,其具有形成邻近前述磁极部件的磁场集中区的多个磁场集中部件。遭遇该增强的磁场的电子沿相同磁场线反弹回去而不是经允许而逃逸。本发明亦提供一分析器磁铁以及包括前述磁极的离子布植机,因此实现了一改良一离子布植机中的低能量离子束空间电荷中和的方法。

基本信息
专利标题 :
离子布植机的电子束缚内磁铁
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101095209A
申请号 :
CN200580045542.X
公开(公告)日 :
2007-12-26
申请日 :
2005-11-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
安东尼·雷诺约瑟·C·欧尔森张昇吾詹姆士·贝福
申请人 :
瓦里安半导体设备公司
申请人地址 :
美国麻萨诸塞州
代理机构 :
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 :
寿宁
优先权 :
CN200580045542.X
主分类号 :
H01J37/147
IPC分类号 :
H01J37/147  H01J37/317  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
H01J37/04
电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置,如电子光学装置,离子光学装置
H01J37/147
沿所需路径导引或偏转电子流的装置
法律状态
2011-01-12 :
授权
2008-02-20 :
实质审查的生效
2007-12-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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