离子源和离子布植机
授权
摘要
一种离子源和离子布植机,涉及半导体器件制备技术领域,该离子源包括用于源气体电离的腔室和用于发射热电子的阴极,所述腔室上开设有用于容置所述阴极的开口部,所述阴极的表面与所述开口部的内缘相对应的部分为缩进的弧面结构,所述弧面结构与所述开口部的内缘之间具有间隙。相较于现有技术,本实用新型通过将阴极上与开口部的内缘相对的部分设置成弧面结构,使得阴极与开口部的内缘之间的间隙得以相对增大,保证了阴极与腔室绝缘设置,同时也使得阴极周围的生成物不易与开口部短接而造成短路现象,增长了离子源的更换周期,提高了离子源的使用寿命。
基本信息
专利标题 :
离子源和离子布植机
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021803296.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-25
授权号 :
CN212570920U
授权日 :
2021-02-19
发明人 :
杨学人
申请人 :
泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请人地址 :
山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
刘曾
优先权 :
CN202021803296.8
主分类号 :
H01J37/08
IPC分类号 :
H01J37/08 H01J37/317
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
H01J37/04
电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置,如电子光学装置,离子光学装置
H01J37/08
离子源;离子枪
法律状态
2021-02-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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