防止静电放电的本体偏置PMOS保护
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种保护集成电路焊盘(201)以防ESD脉冲的保护电路包含：放电电路，该放电电路在衬底(205)(最好是n型)内具有细长的MOS晶体管(202)(最好是PMOS)。放电电路可操作用于将到焊盘的ESD脉冲放电至地(203)。实施方式进一步包含连接至焊盘的抽运电路以接收一部分脉冲电流；抽运电路包含确定该电流部分大小的组件(221)(例如，另一晶体管、一串正向二极管，反相齐纳二极管)，其中该组件连接至地。分立电阻(222)(例如，约40欧姆到60欧姆)连接在焊盘和该组件之间，并且该分立电阻可操作用于产生由电流部分引起的电压降(约0.5V到1.0V)。多个至衬底的触点连接至该电阻，以使得电压降均匀地加到衬底上，以确保细长的晶体管的均匀导通来进行均匀的脉冲放电。
基本信息
专利标题 ：
防止静电放电的本体偏置PMOS保护
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101443908A
申请号 ：
CN200580047382.2
公开（公告）日 ：
2009-05-27
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·T·萨林C·杜沃瑞G·博塞利
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵蓉民
优先权 ：
CN200580047382.2
主分类号 ：
H01L23/62
IPC分类号 ：
H01L23/62
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/62
防过电流或过电负荷保护装置，例如熔丝、分路器
法律状态
2011-08-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101176906541
IPC(主分类) : H01L 23/62
专利申请号 : 2005800473822
公开日 : 20090527
号牌文件序号 : 101176906541
IPC(主分类) : H01L 23/62
专利申请号 : 2005800473822
公开日 : 20090527
2009-07-22 ：
实质审查的生效
2009-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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