SRAM存储器、微处理器以及SRAM阵列及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明总体涉及用于存储器电路的制造方法和器件结构，以及更具体涉及存储器电路中使用的混合绝缘体上硅(SOI)和体结构。本发明的一个方面涉及CMOS SRAM单元结构，其中SRAM单元中的至少一对相邻NFET具有通过浅源极/漏极扩散区底下设置的泄漏路径扩散区连接的主体区，其中泄漏路径扩散区从源极/漏极扩散区的底部延伸到掩埋氧化物层，以及来自相邻SRAM单元的至少一对NFET具有通过相邻源极/漏极扩散区底下的类似泄漏路径扩散区连接的主体区。

基本信息

专利标题：

SRAM存储器、微处理器以及SRAM阵列及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1838416A

申请号：

CN200610002174.7

公开（公告）日：

2006-09-27

申请日：

2006-01-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

R·V·乔西R·A·瓦赫尼克谭悦K·伯恩斯坦

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200610002174.7

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L21/84

法律状态

2017-11-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/12
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2017-11-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/12
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2010-05-12 ：

授权

2006-11-22 ：

实质审查的生效

2006-09-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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