SRAM存储器、微处理器以及SRAM阵列及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要

本发明总体涉及用于存储器电路的制造方法和器件结构,以及更具体涉及存储器电路中使用的混合绝缘体上硅(SOI)和体结构。本发明的一个方面涉及CMOS SRAM单元结构,其中SRAM单元中的至少一对相邻NFET具有通过浅源极/漏极扩散区底下设置的泄漏路径扩散区连接的主体区,其中泄漏路径扩散区从源极/漏极扩散区的底部延伸到掩埋氧化物层,以及来自相邻SRAM单元的至少一对NFET具有通过相邻源极/漏极扩散区底下的类似泄漏路径扩散区连接的主体区。

基本信息
专利标题 :
SRAM存储器、微处理器以及SRAM阵列及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1838416A
申请号 :
CN200610002174.7
公开(公告)日 :
2006-09-27
申请日 :
2006-01-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
R·V·乔西R·A·瓦赫尼克谭悦K·伯恩斯坦
申请人 :
国际商业机器公司
申请人地址 :
美国纽约
代理机构 :
北京市中咨律师事务所
代理人 :
于静
优先权 :
CN200610002174.7
主分类号 :
H01L27/12
IPC分类号 :
H01L27/12  H01L21/84  
法律状态
2017-11-21 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/12
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
2017-11-21 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/12
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛
2010-05-12 :
授权
2006-11-22 :
实质审查的生效
2006-09-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332