半导体激光器件、其制造方法以及使用其的光学拾取器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种具有高可靠性和理想的温度特性同时是高功率器件的半导体激光器件。在衬底上形成有源层以及其间夹置该有源层的两个覆层。所述覆层中的一个形成台面形状的脊，并且该脊包括分开成至少两个分支的波导区域。利用这种结构，减小了注入到有源层的后刻面部分中的载流子密度，由此可以改善半导体激光器的温度特性。同时该器件包括一个区域，在该区域上，脊底部宽度连续变化，脊底部宽度在刻面附近是常数。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光器件、其制造方法以及使用其的光学拾取器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848566A
申请号 ：
CN200610006897.4
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2006-02-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高山彻
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200610006897.4
主分类号 ：
H01S5/22
IPC分类号 ：
H01S5/22 H01S5/343 G11B7/125
法律状态
2010-03-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-30 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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