形成微透镜的方法与半导体影像感测装置
授权
摘要
本发明提供了一种形成微透镜的方法与半导体影像感测装置。首先，提供一基底，而基底具有至少一光感测元件。接着，于该基底上，形成一光敏层。以一光罩进行第一次曝光。以该光罩进行第二次曝光。去除部分的该光敏层，以使存留的部分的该光敏层形成至少一微透镜。对该微透镜进行回流。本发明所述的形成微透镜的方法与半导体影像感测装置，可以制作比较薄且焦距长的透镜，而且能够降低微透镜两两粘合的问题。
基本信息
专利标题 ：
形成微透镜的方法与半导体影像感测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1952784A
申请号 ：
CN200610007891.9
公开（公告）日 ：
2007-04-25
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高铭昌张志光翁福田张笔政
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610007891.9
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027 H01L27/148
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-02-04 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1952784A.PDF
PDF下载
2、
CN100458571C.PDF
PDF下载
