改善设计窗的方法
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摘要
一种形成用于集成电路制造工艺的光掩模的方法。该方法首先决定最小间距。并确认图案具有一间距小于该最小间距，其中该图案用以形成垂直导电构造。再针对确认出的每一个图案，决定扩增的第一方向及缩减的第二方向以定义一修正图案。并依据设计规则进行检查，以决定当确认出的该图案在该第一方向扩增及在该第二方向缩减时，是否违背该设计规则。再针对确认出的每一个图案，当未违背该设计规则时，将经过确认的该图案用该修正图案取代，其中该修正图案在该第一方向被扩增，而在该第二方向被缩减。之后，使用该修正图案形成光掩模。该方法可以用于形成不易出现短路缺陷的介层窗，也可以用于形成其它垂直导体结构。
基本信息
专利标题 ：
改善设计窗的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1877584A
申请号 ：
CN200610009425.4
公开（公告）日 ：
2006-12-13
申请日 ：
2006-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄学理郑光茗姚志宗刘恒恺邱明哲陈建文
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾新竹市
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
王玉双
优先权 ：
CN200610009425.4
主分类号 ：
G06F17/50
IPC分类号 ：
G06F17/50 H01L21/768
法律状态
2008-10-15 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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