设计方法
实质审查的生效
摘要

本发明实施例提供一种设计方法,应用于多个预设电容单元组成的电容阵列,预设电容单元包括多个单元电容,包括:获取预设电容单元的单元仿真模型;基于电容阵列中预设电容单元的排布方式,以及各预设电容单元的单元仿真模型,获取电容阵列的第一仿真模型;基于预设电容单元的排布方式,获取预设电容单元的排布方向,并建立在相同排布方向上的一组预设电容单元的寄生电阻等效测试结构;基于寄生电阻等效测试结构,获得各预设电容单元的寄生电阻;基于各预设电容单元的寄生电阻以及第一仿真模型,建立表征电容阵列的第二仿真模型;本发明实施例提供一种精确的电容器件模型,以提高半导体存储器的仿真结果的准确性和可靠性。

基本信息
专利标题 :
设计方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114330181A
申请号 :
CN202011062989.0
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2020-09-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
翁坤
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
成丽杰
优先权 :
CN202011062989.0
主分类号 :
G06F30/3308
IPC分类号 :
G06F30/3308  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/3308
使用模拟
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/3308
申请日 : 20200930
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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