一种以蒙脱土为模板制备高分子单链单晶的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供了一种以蒙脱土为模板制备高分子单链单晶的方，属于高分子单链单晶合成的技术领域。采用蒙脱土为模板，将阳离子聚合物单体通过离子交换作用引入到蒙脱土层板中，通过静电作用实现了单体在模板中的规则有序排布。加入引发剂引发聚合后，蒙脱土中得到的聚合物有别于常规聚合反应得到的聚合物，而是结构规整的单晶，然后将其从蒙脱土中释放收集。本发明的优点在于：制备工艺简单，易于操作控制，适用范围广泛。
基本信息
专利标题 ：
一种以蒙脱土为模板制备高分子单链单晶的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1807704A
申请号 ：
CN200610011137.2
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2006-01-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王戈杨穆冯莉
申请人 ：
北京科技大学
申请人地址 ：
100083北京市海淀区学院路30号
代理机构 ：
北京科大华谊专利代理事务所
代理人 ：
刘月娥
优先权 ：
CN200610011137.2
主分类号 ：
C30B29/58
IPC分类号 ：
C30B29/58
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/54
有机化合物
C30B29/58
高分子化合物
法律状态
2007-10-31 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-20 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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