一种高热导氮化硅陶瓷的制备方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种高热导Si3N4陶瓷的制备方法，其特征在于采用SPS低温快速烧结技术，以氮化物作为烧结助剂制备高热导氮化硅陶瓷的方法，属于非氧化物陶瓷制备领域。本发明中高热导Si3N4陶瓷是由α－Si3N4粉体和烧结助剂按100∶10～2的比例混合，采用SPS低温快速烧结技术制备的。在制备过程中，将原料装入石墨模具中，在10～100MPa、1500℃～1700℃、保温时间3～30分钟条件下SPS快速烧结。本发明制备的氮化硅陶瓷具备高的热导率的同时仍可保持高的强度，其中热导率可达120Wm－1K－1、三点抗折强度σ
基本信息
专利标题 ：
一种高热导氮化硅陶瓷的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1810720A
申请号 ：
CN200610024154.X
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭桂花江国健李文兰张宝林庄汉锐徐素英
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
200050上海市定西路1295号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200610024154.X
主分类号 ：
C04B35/584
IPC分类号 ：
C04B35/584 C04B35/622
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/58
以硼化物、氮化物或硅化物为基料的
C04B35/584
以氮化硅为基料的
法律状态
2011-05-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101068487896
IPC(主分类) : C04B 35/584
专利号 : ZL200610024154X
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20100224
号牌文件序号 : 101068487896
IPC(主分类) : C04B 35/584
专利号 : ZL200610024154X
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20100224
2007-12-19 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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