一种电路用氮化硅陶瓷基片及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及陶瓷基片领域，提供一种电路用氮化硅陶瓷基片及其制备方法,解决采用现有技术的制备方法无法获得尺寸精度高、韧性高、热导率高的氮化硅陶瓷基板的问题；包括以下制备步骤:（1）流延浆料配制；（2）流延成型：将流延浆料通过流延机制备成流延素坯带；（3）冲切成形：将流延素坯带冲切成形为具有一定形状和尺寸的素坯片；（4）叠片；（5）排胶；（6）高温气压烧结；其中，所述α‑Si3N4粉体与助烧结剂的用量比以重量百分比计=90‑96:4‑10；所述α‑Si3N4粉体采用自蔓延法制备而成。
基本信息
专利标题 ：
一种电路用氮化硅陶瓷基片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114591090A
申请号 ：
CN202210058831.9
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨大胜周和平施纯锡
申请人 ：
福建华清电子材料科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)灵石路2号
代理机构 ：
泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
林小彬
优先权 ：
CN202210058831.9
主分类号 ：
C04B35/593
IPC分类号 ：
C04B35/593 C04B35/622 C04B35/626 C04B35/645
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/58
以硼化物、氮化物或硅化物为基料的
C04B35/584
以氮化硅为基料的
C04B35/587
精细陶瓷
C04B35/593
用热压法获得的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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