陶瓷基片溅射铜箔生产方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
陶瓷基片溅射铜箔生产方法,具体地说是一种采用非平衡磁控溅射方法生产陶瓷覆铜基片。该陶瓷覆铜基片主要用作爆炸箔起爆器。工艺步骤:1.基片预处理:在制备薄膜前需对陶瓷基片进行预处理。预处理工艺过程为:除油脂→超声清洗→活化→真空干燥。2.薄膜制备:固定工件→抽本底真空→轰击清洗净化工件→调节溅射气体压力→确定基片偏压→确定基片占空比→确定溅射占空比→关闭靶电源→偏压电源→气源→停工件转架→开启工作室→取出工件→样品退火。用这种方法生产的铜箔厚度均匀,光洁度好、膜层组织更为致密、铜箔与基片的结合强度好。
基本信息
专利标题 :
陶瓷基片溅射铜箔生产方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1776003A
申请号 :
CN200510047855.0
公开(公告)日 :
2006-05-24
申请日 :
2005-11-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
韩绍娟许壮志薛健彭春兰程涛初小葵时卓张浩智
申请人 :
辽宁省轻工科学研究院
申请人地址 :
110036辽宁省沈阳市皇姑区崇山西路3号
代理机构 :
沈阳维特专利商标事务所
代理人 :
甄玉荃
优先权 :
CN200510047855.0
主分类号 :
C23C14/34
IPC分类号 :
C23C14/34 C23C14/02 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2009-01-28 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-07-19 :
实质审查的生效
2006-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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