532纳米波长的高密度深刻蚀石英透射偏振分束光栅

专利权的终止

摘要

一种532纳米波长的高密度深刻蚀石英透射偏振分束光栅，该光栅的周期为395－412纳米、刻蚀深度为1.580－1.630微米，光栅的占空比为1/2。其TE偏振光和TM偏振光分别在0级和1级透射，该偏振分束光栅的消光比大于100，TE偏振光的0级透射衍射效率和TM偏振光的1级透射衍射效率分别高于95.42％和96.10％，特别是光栅周期为404纳米，刻蚀深度为1.605微米时，消光比达到1.01×10⁴，TE偏振光0级透射衍射效率为97.13％，TM偏振光1级透射衍射效率为97.77％；本发明制作偏振分束器，具有很高的消光比和透射效率，不必镀金属膜或介质膜，利用全息光栅记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺，可以大批量、低成本地生产，刻蚀后的光栅性能稳定、可靠，是偏振分束器的一种重要的实现技术。

基本信息

专利标题：

532纳米波长的高密度深刻蚀石英透射偏振分束光栅

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1821817A

申请号：

CN200610024950.3

公开（公告）日：

2006-08-23

申请日：

2006-03-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

周常河王博

申请人：

中国科学院上海光学精密机械研究所

申请人地址：

201800上海市800－211邮政信箱

代理机构：

上海新天专利代理有限公司

代理人：

张泽纯

优先权：

CN200610024950.3

主分类号：

G02B5/18

IPC分类号：

G02B5/18