一种适合SiC晶须生长的方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种适合SiC晶须生长的方法。在石墨坩埚中，使铁族或镧系元素－硅化物合金化的硅化物熔化为熔体，生长设备为高温真空气氛烧结炉生成SiC晶须，石墨坩埚是作为－Si合金融化的容器又作为实验中的碳源，流动氩气作保护气氛。本发明生长的SiCw纯度高；SiC晶须的长度长，能达到几个毫米；生长SiCw的成本很低；不存在环境污染、制备设备简单。

基本信息

专利标题：

一种适合SiC晶须生长的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1818152A

申请号：

CN200610049142.2

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

潘颐杨光义陈建军吴仁兵

申请人：

浙江大学

申请人地址：

310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

林怀禹

优先权：

CN200610049142.2

主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B29/36 C30B29/62

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B29/00

以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料

C30B29/10

无机化合物或组合物

C30B29/36

碳化物

法律状态

2012-03-28 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101211509917
IPC(主分类) : C30B 29/36
专利号 : ZL2006100491422
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20080903
终止日期 : 20110117

2008-09-03 ：

授权

2006-10-11 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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