三维存储器的层间连线结构及其制法
专利权的终止
摘要

本发明公开一种三维存储器的层间连线结构及其制法,该结构利用导线布局,由多个存储单元组成的存储单元组群经由导线及插栓的排列连接到各个选择晶体管,其中该导线布局是在各个同一水平面分别布置多个导线,且在上下二层不同水平面的相邻导线间选择性形成插栓,使该插栓可选择性跨接上下二层水平面的相邻导线,由于堆栈于三维存储器各堆栈层的堆栈态布局图案完全相同,各堆栈层的上下导线使用相同的布局,节省光罩的使用及简化了制程,从而降低了成本、简化了多层三维存储器的连线结构。

基本信息
专利标题 :
三维存储器的层间连线结构及其制法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101038906A
申请号 :
CN200610057424.7
公开(公告)日 :
2007-09-19
申请日 :
2006-03-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郑培仁
申请人 :
财团法人工业技术研究院
申请人地址 :
台湾省新竹县
代理机构 :
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 :
程伟
优先权 :
CN200610057424.7
主分类号 :
H01L23/528
IPC分类号 :
H01L23/528  H01L21/768  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2020-03-10 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/528
申请日 : 20060315
授权公告日 : 20120321
终止日期 : 20190315
2012-03-21 :
授权
2007-11-14 :
实质审查的生效
2007-09-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332