用于制造独立式纳米结构的方法和系统
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
系统和方法包括将半导体晶片引入处理室。将蚀刻化学成分注入到处理室以蚀刻图案化层和释放半导体晶片上的独立式纳米结构。蚀刻化学成分包括超临界或液态二氧化碳流体和蚀刻溶液。通过将超临界或液态二氧化碳流体涌入处理室来清洗半导体晶片。通过从处理室排出超临界或液态二氧化碳流体来干燥半导体晶片。
基本信息
专利标题 ：
用于制造独立式纳米结构的方法和系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825538A
申请号 ：
CN200610059226.4
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
R·霍耶尔A·杜蓬特
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王岳
优先权 ：
CN200610059226.4
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/28 B08B3/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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