半导体加速度传感器装置及其制造方法
专利权的终止
摘要

提供一种半导体加速度传感器装置及其制造方法,可以抑制因周围温度变化在加速度传感器芯片中产生的畸变而使半导体加速度传感器装置的检测精度提高。该半导体加速度传感器装置包括:将加速度传感器芯片容纳在内部的中空的封装,在封装的内部底面的预定区域内形成有凹部;填充凹部的具有粘接性的低弹性构件;以及配置在低弹性构件上的加速度传感器芯片,低弹性构件与加速度传感器芯片的粘接面比底面高。

基本信息
专利标题 :
半导体加速度传感器装置及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1873421A
申请号 :
CN200610068046.2
公开(公告)日 :
2006-12-06
申请日 :
2006-03-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
猪野好彦
申请人 :
冲电气工业株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
岳耀锋
优先权 :
CN200610068046.2
主分类号 :
G01P15/00
IPC分类号 :
G01P15/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01P
线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量;运动的存在或不存在的指示;运动的方向的指示、传播时间或传播方向来测量固体物体的方向或速度入G01S;核辐射速度的测量入G01T)
G01P15/00
测量加速度;测量减速度;测量冲击即加速度的突变
法律状态
2014-05-14 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101582161946
IPC(主分类) : G01P 15/00
专利号 : ZL2006100680462
申请日 : 20060324
授权公告日 : 20100602
终止日期 : 20130324
2010-06-02 :
授权
2008-07-02 :
实质审查的生效
2006-12-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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