一种硅梁压阻加速度传感器及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明提供了一种单面加工硅梁压阻加速度传感器及其制造方法，该传感器的特点是具有起质量块作用的硅膜的二条或四条对称分布的硅梁水平跨接在局部掏空的硅片上并由其硅片所支撑，其形成的主要步骤为：a、采用外延、扩散或离子注入技术提供制作硅梁和硅膜的外延层和在设计的掏空区域内形成低阻区；b、阳极氧化低阻区，腐蚀多孔硅。采用本方法有利于提高器件的性能、成品率，便于集成和大批量生产。
基本信息
专利标题 ：
一种硅梁压阻加速度传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1058100A
申请号 ：
CN90103465.7
公开（公告）日 ：
1992-01-22
申请日 ：
1990-07-12
授权号 ：
CN1027011C
授权日 ：
1994-12-14
发明人 ：
涂相征李韫言
申请人 ：
涂相征;李韫言
申请人地址 ：
100009北京市东城区北河胡同14号
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
李泰敏
优先权 ：
CN90103465.7
主分类号 ：
G01P15/12
IPC分类号 ：
G01P15/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01P
线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量；运动的存在或不存在的指示；运动的方向的指示、传播时间或传播方向来测量固体物体的方向或速度入G01S；核辐射速度的测量入G01T）
G01P15/00
测量加速度；测量减速度；测量冲击即加速度的突变
G01P15/02
利用惯性力
G01P15/08
用变换成电或磁量
G01P15/12
应用电阻值的改变
法律状态
2003-09-03 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1994-12-14 ：
授权
1992-03-11 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1992-01-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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