一种硅膜压阻压力传感器的制造方法及其传感器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明提供了一种正面加工硅膜压阻压力传感器及其制造方法，该传感器的特点是硅膜下的空腔是从衬底硅体内镂空形成的空腔腔体，它的形成步骤a、在衬底硅膜设计区的下方及两侧进行重掺杂，形成连通的低阻区；b、采用阳极氧化技术，使低阻区的硅转变成多孔硅；c、用腐蚀液腐蚀多孔硅；d、用淀积物填平硅膜两侧腐蚀多孔硅后形成的腔体开口。采用这种方法使器件成本低、性能可靠、易于集成和大批量生产。
基本信息
专利标题 ：
一种硅膜压阻压力传感器的制造方法及其传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1057336A
申请号 ：
CN90104145.9
公开（公告）日 ：
1991-12-25
申请日 ：
1990-06-08
授权号 ：
CN1027519C
授权日 ：
1995-01-25
发明人 ：
涂相征李韫言
申请人 ：
涂相征;李韫言
申请人地址 ：
100009北京市东城区北河胡同14号
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
李素敏
优先权 ：
CN90104145.9
主分类号 ：
G01L1/18
IPC分类号 ：
G01L1/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质，即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
2003-08-06 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1995-01-25 ：
授权
1992-03-11 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-12-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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