高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器。本实用新型涉及压阻式压力传感器。它解决了使金属电极的长度较长，对于高温使用使产品的可靠性降低问题。它的硅衬底、第一二氧化硅层和高掺杂层依次从下往上构成SOI膜片；其外部从内向外依次氧化和生长有薄二氧化硅层、第二二氧化硅层和氮化硅层；高掺杂层和上部薄二氧化硅层刻蚀为高掺杂区Q和敏感电阻R的图形，电极透过上部三层与高掺杂层键和，硅衬底、下部三层腐蚀形成截面为杯形的底部凹槽。该传感器采用浓硼作为引线，只在内引线引出部分使用点电极用一小块金属作为压焊点，使金属电极的尺寸极小，采用高掺杂敏感制作电阻和引线及点电极的另一个优点是提高了产品的可靠性。