低封装应力的MEMS压阻式压力传感器芯片
授权
摘要

本实用新型属于压力传感器技术领域,具体涉及低封装应力的MEMS压阻式压力传感器芯片,包括之间设有隔离槽的压力敏感结构和支撑框架结构,压力敏感结构通过一个悬臂梁与支撑框架结构连接,压力敏感结构的正下方设有隔离空腔。压力敏感结构通过正下方的隔离空腔实现悬空,与封装管壳或者基板完全分离。支撑框架结构实现芯片在管壳或者基板上的固定,同时,芯片PAD全部设在支撑框架结构上,以减小封装时金线键合焊点引起的应力。压力敏感结构和四周支撑框架结构通过隔离槽实现物理上的分离,特殊设计的悬臂梁保证与支撑框架部分的连接,使芯片压力敏感部分不受封装工艺的影响,对封装引起的机械应力进行隔离,减小传感器受封装应力的影响。

基本信息
专利标题 :
低封装应力的MEMS压阻式压力传感器芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122963147.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-29
授权号 :
CN216559442U
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
汪祖民
申请人 :
龙微科技无锡有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园G5栋
代理机构 :
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
苗雨
优先权 :
CN202122963147.9
主分类号 :
G01L1/18
IPC分类号 :
G01L1/18  B81B7/00  B81B7/02  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质,即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
2022-05-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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