一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片
授权
摘要

本实用新型公开了一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片,涉及到压力敏感芯片技术领域,包括基板,所述基板的上方设置有硅片衬底,所述基板的上表面固定连接有封装环,且硅片衬底的底端位于封装环内部,所述封装环的内侧壁固定连接有第一散热膜,且硅片衬底的外侧壁与第一散热膜的内侧表面贴合,所述封装环的外侧壁固定连接有第二散热膜,所述封装环的内部贯穿设置有多个呈环形阵列分布的散热孔。本实用新型芯片工作时产生的热量会通过硅片衬底转移至第一散热膜内部,第一散热膜内部的热量被多个填充有导热硅脂的散热孔转移至第二散热膜内部,通过第二散热膜将热量散发至芯片外部,提高了散热效率,避免热量积聚影响芯片的正常工作。

基本信息
专利标题 :
一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122473531.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-10-14
授权号 :
CN216433320U
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
任强朱丰张琦郑杨
申请人 :
浙江芯动科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市南湖区亚中路551号2号楼1层101室
代理机构 :
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
熊亮亮
优先权 :
CN202122473531.0
主分类号 :
G01L1/18
IPC分类号 :
G01L1/18  F16F15/02  H05K7/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质,即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
2022-05-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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