一种基于基板的硅压阻式压力传感器封装结构

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种基于基板的硅压阻式压力传感器封装结构，涉及硅压阻式压力传感器技术领域，包括上基板和下基板，所述上基板的底部固定连接有波纹硅膜片，所述上基板的内部固定连接有隔板，所述隔板的顶部固定安装有U型座。本实用新型中，通过散热片、铜杆和导热片之间的配合使用，对硅压阻式压力传感器芯片工作产生的热量进行降温，防止U型座内部温度上升使气体膨胀而影响压力测试准确度，且通过触片、连接槽、连接块、弹簧、调节槽、调节轴和L型块之间的配合使用，将接线端子阻挡在下基板的内部，防止该传感器在运输过程中或闲置时接线端子受到碰撞而损坏，即增加了该封装结构的保护性。

基本信息

专利标题：

一种基于基板的硅压阻式压力传感器封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922254053.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-16

授权号：

CN211425726U

授权日：

2020-09-04

发明人：

张媛媛肖燕

申请人：

张媛媛

申请人地址：

山东省东营市河口区海宁路112号30号楼2单元202室

代理机构：

山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司

代理人：

郑向群

优先权：

CN201922254053.7

主分类号：

G01L1/18

IPC分类号：

G01L1/18 G01L9/06