一种PN结压阻式扩散硅压力传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种PN结压阻式扩散硅压力传感器，属于微电子技术领域；它包括有晶圆片，技术要点是：在晶圆片上分布有凸起的阻条器件及压焊点，在阻条器件的顶部还覆盖有电极，在晶圆片及压焊点的外表面还设置有一氧气层或氮化层。采用本结构可以降低现有的工艺/设计难度，减少工艺步骤，降可靠性高，可应用于PN结压阻式扩散硅压力传感器的制备以及SOI压力传感器的制备。
基本信息
专利标题 ：
一种PN结压阻式扩散硅压力传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922242488.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-16
授权号 ：
CN210922903U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
贾文博张治国郑东明祝永峰任向阳关维冰白雪松尹萍
申请人 ：
沈阳仪表科学研究院有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市浑南新区高科路23-3号501室
代理机构 ：
沈阳科威专利代理有限责任公司
代理人 ：
杨滨
优先权 ：
CN201922242488.X
主分类号 ：
G01L1/18
IPC分类号 ：
G01L1/18 G01L9/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质，即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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