一种压阻式压力传感器
授权
摘要

本实用新型公开了一种压阻式压力传感器,包括硅应变膜片、压敏电阻条、重掺杂接触区、电极孔、金属引线和玻璃底座,所述硅应变膜片为硅晶圆经过正面刻蚀和背面刻蚀后减薄在正面和背面形成蜂巢结构的硅片,所述压敏电阻条包括四组,分别位于硅应变膜片顶层四边中部,所述金属引线和重掺杂接触区通过电极孔在硅应变膜片的正面形成欧姆接触,所述玻璃底座用于键合硅应变膜片。本实用新型中蜂巢结构在保证压力传感器灵敏度的同时又能提高传感器线性度,蜂巢结构在可以改善平膜结构强度不足的问题,同时在抵抗振动冲击方面都有着优越性能,通过调节凹槽的形状、数目、间距和深度,不仅可以调节传感器的性能,同时适用于不同的量程。

基本信息
专利标题 :
一种压阻式压力传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123403880.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
CN216669075U
授权日 :
2022-06-03
发明人 :
许克宇武斌申涛
申请人 :
深圳市美思先端电子有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区招商局光明科技园B1B2栋B2-301
代理机构 :
深圳市合道英联专利事务所(普通合伙)
代理人 :
廉红果
优先权 :
CN202123403880.1
主分类号 :
G01L1/18
IPC分类号 :
G01L1/18  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质,即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
2022-06-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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