具有叠层内偏置的磁传感器
专利权的终止
摘要
一种磁传感器，包括具有检测层的传感器叠层。第一偏置结构具有第一磁化矢量，与传感器叠层相邻设置，用来产生偏置检测层的偏置场。第二偏置结构具有第二磁化矢量，其相对于检测层定位在传感器叠层内，用来对抗在检测层中心的偏置场。
基本信息
专利标题 ：
具有叠层内偏置的磁传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838246A
申请号 ：
CN200610074760.2
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
V·B·萨波日尼科夫
申请人 ：
西加特技术有限责任公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
钱慰民
优先权 ：
CN200610074760.2
主分类号 ：
G11B5/39
IPC分类号 ：
G11B5/39
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/127
磁头的结构或制造，例如电感应的
G11B5/33
磁通敏感磁头的结构或制造
G11B5/39
使用磁阻装置的
法律状态
2017-04-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101713758209
IPC(主分类) : G11B 5/39
专利号 : ZL2006100747602
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20160228
号牌文件序号 : 101713758209
IPC(主分类) : G11B 5/39
专利号 : ZL2006100747602
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20160228
2010-05-12 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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